第3世代半導体デバイス・モジュールの世界市場（2026年～2032年）、市場規模（SiC MOSFET モジュール、SiC MOSFET ディスクリート、SiC ダイオード、GaN RF デバイス、GaN パワーデバイス）・分析レポートを発表

株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「第3世代半導体デバイス・モジュールの世界市場（2026年～2032年）、英文タイトル：Global Third-Generation Semiconductor Devices & Modules Market 2026-2032」調査資料を発表しました。資料には、第3世代半導体デバイス・モジュールの世界市場規模、市場動向、セグメント別予測（SiC MOSFET モジュール、SiC MOSFET ディスクリート、SiC ダイオード、GaN RF デバイス、GaN パワーデバイス）、関連企業の情報などが盛り込まれています。

■ 主な掲載内容

世界の第3世代半導体デバイス・モジュール市場規模は、2025年の72億3,700万米ドルから2032年には191億8,000万米ドルに成長すると予測されており、2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）15.2%で成長すると見込まれています。

本レポートでは、SiCパワーデバイスとGaNデバイスを含む第3世代半導体デバイス・モジュールについて分析しています。SiCパワーデバイスには、SiC MOSFETモジュール、SiC MOSFETディスクリート、SiCダイオードが含まれます。GaNデバイスには、GaN RFデバイスとGaNパワーデバイスが含まれます。 GaN RFデバイスには、パワーアンプ（PA）、低雑音アンプ（LNA）、RFスイッチなどが含まれます。

SiC MOSFETモジュールの主要メーカーは、STMicroelectronics、Infineon、Wolfspeed、Rohm、Onsemi、BYD Semiconductor、Microchip（Microsemi）、Mitsubishi Electric（Vincotech）、Semikron Danfossなどです。上位3社は2022年に70%以上のシェアを占めています。SiC MOSFETディスクリートの主要メーカーは、STMicroelectronics、Infineon、Wolfspeed、Rohm、CETC 55などです。上位5社は2022年に80%以上のシェアを占めています。SiC SBDの主要メーカーは、STMicroelectronics、Infineon、Wolfspeed、Rohm、Onsemi、Microchip（Microsemi）、San'an Optoelectronicsなどです。上位5社は2022年に70%以上のシェアを占めています。

GaNデバイス市場において、現在GaN RFデバイスが圧倒的なシェアを占め、約85%を占めています。残りの15%はGaNパワーデバイスが占めています。GaNパワーデバイスは近年急速に成長しており、多くの企業が参入しています。今後数年間でGaNパワーデバイスの市場シェアはさらに拡大すると予想されます。現在、GaN RFデバイス市場は住友電工デバイスイノベーションズ（SEDI）、Wolfspeed、Qorvo、NXPといった企業が中心となっています。一方、GaNパワーデバイス市場はPower Integrations、Navitas Semiconductor、GaN Systems、Efficient Power Conversion Corporation（EPC）、Innoscience、Transphorm、Infineonといった企業が中心となっており、中でもInnoscienceは世界最大のGaNパワーデバイスメーカーです。

この最新調査レポート「第3世代半導体デバイス・モジュール業界予測」は、過去の販売実績を分析し、2025年の世界における第3世代半導体デバイス・モジュールの総売上高を概観するとともに、2026年から2032年までの第3世代半導体デバイス・モジュールの売上高予測を地域別および市場セクター別に包括的に分析しています。地域別、市場セクター別、サブセクター別に第3世代半導体デバイス・モジュールの売上高を細分化したこのレポートは、世界の第3世代半導体デバイス・モジュール業界を百万米ドル単位で詳細に分析しています。

このインサイトレポートは、世界の第3世代半導体デバイス・モジュール市場の状況を包括的に分析し、製品セグメンテーション、企業設立、収益、市場シェア、最新の開発動向、M&A活動などに関する主要なトレンドを明らかにしています。本レポートでは、世界有数の半導体デバイス・モジュール（3D-SDM）企業の戦略を分析し、特に3D-SDMポートフォリオと機能、市場参入戦略、市場における地位、地理的展開に焦点を当てることで、急成長する世界の3D-SDM市場における各社の独自の立ち位置をより深く理解します。

本インサイトレポートは、3D-SDMの世界市場展望を形成する主要な市場動向、推進要因、影響要因を評価し、タイプ別、用途別、地域別、市場規模別に予測を細分化することで、新たなビジネスチャンスを明らかにします。数百ものボトムアップ型の定性的・定量的市場インプットに基づく透明性の高い手法により、本調査予測は、世界の3D-SDM市場の現状と将来の軌跡について、非常に詳細な見解を提供します。

本レポートは、製品タイプ別、用途別、主要メーカー別、主要地域・国別に、3D-SDM市場の包括的な概要、市場シェア、成長機会を提示します。

タイプ別セグメンテーション：

SiC MOSFETモジュール

SiC MOSFETディスクリート

SiCダイオード

GaN RFデバイス

GaNパワーデバイス

用途別セグメンテーション：

自動車・EV/HEV

EV充電

UPS、データセンター、サーバー

太陽光発電、エネルギー貯蔵、風力発電

通信インフラ

防衛・航空宇宙

鉄道輸送

消費者向け
その他

本レポートでは、市場を地域別にも分類しています。

南北アメリカ

米国

カナダ
メキシコ
ブラジル

アジア太平洋地域
中国
日本
韓国
東南アジア
インド
オーストラリア
ヨーロッパ

ドイツ
フランス
英国
イタリア
ロシア
中東・アフリカ
エジプト
南アフリカ
イスラエル
トルコ

GCC諸国

以下の企業は、主要な専門家から収集した情報に基づき、企業の事業範囲、製品ポートフォリオ、市場浸透度を分析した結果、選定されました。

STマイクロエレクトロニクス

インフィニオン（GaNシステムズ）

ウルフスピード

ローム

オンセミ

BYDセミコンダクター

マイクロチップ（マイクロセミ）

三菱電機（ヴィンコテック）

セミミクロン・ダンフォス

富士電機

ナビタス（GeneSiC）

東芝

コーボ（ユナイテッドSiC）

住友電気デバイスイノベーションズ（SEDI）

NXPセミコンダクターズ
エフィシェント・パワー・コンバージョン・コーポレーション（EPC）

GEエアロスペース

ボッシュ

リトルヒューズ（IXYS）

IQE

ソイテック（エピGaN）

トランスフォーム株式会社

NTTアドバンストテクノロジー（NTT-AT）

DOWAエレクトロニクスマテリアルズ

三安光電子
CETC 55
WeEnセミコンダクターズ

BASiCセミコンダクター

イノサイエンス
エピシルプレシジョン株式会社
セミキュー

ダイオード株式会社

サンレックス

アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター

ボッシュ

MACOM

パワーインテグレーションズ社

RFHIC株式会社

ネクスジェン・パワーシステムズ社

アルタムRF社

ルネサスエレクトロニクス社

富士通社

本レポートで取り上げる主な質問

世界の第3世代半導体デバイス・モジュール市場の10年間の見通しは？

世界および地域別に、第3世代半導体デバイス・モジュール市場の成長を牽引する要因は？

市場および地域別に、最も急速な成長が見込まれる技術は？

第3世代半導体デバイス・モジュール市場の機会は、最終市場規模によってどのように異なるか？

第3世代半導体デバイス・モジュールは、タイプ別、用途別にどのように分類されるか？

■ 各チャプターの構成

第1章には、レポートの範囲、市場概要、調査対象期間、調査目的、調査方法、調査プロセス、データソース、経済指標、考慮された通貨、市場推定に関する注意点などの情報が記載されている。

第2章には、エグゼクティブサマリーとして、世界の第三世代半導体デバイス＆モジュール市場の概要（年間販売実績と予測、地域別・国別の現状分析と将来予測）、タイプ別（SiC MOSFETモジュール、SiC MOSFETディスクリート、SiCダイオード、GaN RFデバイス、GaNパワーデバイス）の販売、収益、市場シェア、販売価格に関する詳細が収録されている。また、アプリケーション別（自動車・EV/HEV、EV充電、UPS・データセンター・サーバー、PV・エネルギー貯蔵・風力発電、通信インフラ、防衛・航空宇宙、鉄道輸送、コンシューマー、その他）の販売、収益、市場シェア、販売価格も含まれる。

第3章には、企業別のグローバル市場に関する情報がまとめられており、各企業の年間販売実績、販売市場シェア、年間収益、収益市場シェア、販売価格が記載されている。さらに、主要メーカーの生産・販売地域、製品提供状況、市場集中度分析（競争状況、CR3, CR5, CR10）、新製品、潜在的参入者、M&A活動、戦略が分析されている。

第4章には、第三世代半導体デバイス＆モジュールに関する世界の歴史的レビューが地域別に行われており、地理的地域別および国/地域別の過去の年間販売と年間収益データ（2021-2026年）が含まれる。また、アメリカ、APAC、ヨーロッパ、中東・アフリカにおける販売成長も示されている。

第5章には、アメリカ地域に特化した分析がなされており、国別の販売と収益、タイプ別の販売、アプリケーション別の販売が詳細に記されている。具体的には、米国、カナダ、メキシコ、ブラジルの情報が提供されている。

第6章には、APAC地域に特化した分析がなされており、地域別の販売と収益、タイプ別の販売、アプリケーション別の販売が詳細に記されている。具体的には、中国、日本、韓国、東南アジア、インド、オーストラリア、中国台湾の情報が提供されている。

第7章には、ヨーロッパ地域に特化した分析がなされており、国別の販売と収益、タイプ別の販売、アプリケーション別の販売が詳細に記されている。具体的には、ドイツ、フランス、英国、イタリア、ロシアの情報が提供されている。

第8章には、中東・アフリカ地域に特化した分析がなされており、国別の販売と収益、タイプ別の販売、アプリケーション別の販売が詳細に記されている。具体的には、エジプト、南アフリカ、イスラエル、トルコ、GCC諸国の情報が提供されている。

第9章には、市場の推進要因と成長機会、市場が直面する課題とリスク、および業界の主要トレンドに関する分析が提供されている。

第10章には、製造コスト構造分析として、原材料とサプライヤー、製造コスト構造、製造プロセス、および産業チェーン構造に関する情報が詳述されている。

第11章には、マーケティング、流通業者、顧客に関する情報が収録されており、販売チャネル（直接および間接）、主要な流通業者、および対象顧客についての詳細が含まれている。

第12章には、第三世代半導体デバイス＆モジュールに関する世界市場の将来予測が提供されており、地理的地域別（アメリカ、APAC、ヨーロッパ、中東・アフリカ）、タイプ別、およびアプリケーション別の市場規模予測（2027-2032年）が詳述されている。

第13章には、主要企業分析として、STMicroelectronics、Infineon (GaN Systems)、Wolfspeedなど42社の各企業について、会社情報、製品ポートフォリオと仕様、過去の販売、収益、価格、粗利益（2021-2026年）、主要事業概要、および最新の動向が詳細に分析されている。

第14章には、調査結果と結論がまとめられている。

■ 第3世代半導体デバイス・モジュールについて

第3世代半導体デバイス・モジュールとは、主に窒化ガリウム（GaN）や炭化ケイ素（SiC）を基盤とする半導体技術で構成されるデバイスのことを指します。これらの材料は従来のシリコン（Si）に比べて、高温、高電圧、高周波数に対する耐性があり、効率的なエネルギー変換を可能にします。第3世代半導体は、電力変換や無線通信の効率を大幅に向上させるために、特に注目されています。

第3世代半導体デバイスの最大の特長は、高いバンドギャップを持つため、エネルギー損失が少なく、高性能化が図れる点です。窒化ガリウムは、特に高周波アプリケーションにおいて、優れた動作特性を持ち、効率的な電力アンプやスイッチングデバイスとして用いられます。一方、炭化ケイ素は、特に電力変換ユニットに強みを持ち、高温環境や高電圧アプリケーションに適しています。

種類としては、主にGaNおよびSiCを用いたパワーデバイスやラジオ周波数デバイス（RFデバイス）が挙げられます。具体的には、GaN-HEMT（High Electron Mobility Transistor）やSiC-MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）などが一般的です。これらのデバイスは、特に再生可能エネルギーの分野や電気自動車（EV）、データセンターなど、エネルギー効率が求められる場面での利用が進んでいます。

用途に関しては、第3世代半導体デバイスは、多岐にわたります。例えば、電気自動車には、充電インフラやモーターコントロールに関連するパワーエレクトロニクスが非常に重要です。これらのデバイスを用いることで、車両の航続距離を延ばしつつ、充電時間を短縮することが可能です。また、再生可能エネルギーの普及に伴い、太陽光発電や風力発電におけるインバーターにも利用され、エネルギーの効率的な管理が行われています。

さらに、データセンターや通信インフラにおいても、通信機器の効率化と小型化が求められており、GaNベースのRFパワーアンプは高出力化に寄与しています。このように、透過性や効率性が求められる現代の技術において、第3世代半導体デバイスは重要な役割を果たしています。

関連技術としては、パワーエレクトロニクス、モーター制御技術、エネルギー管理システム、さらにはその実装に必要な製造技術や材料工学も含まれます。また、冷却技術も重要です。高出力化されるデバイスは熱の問題が伴うため、効果的な熱管理が求められます。そのため、熱伝導性材料や設計技術が進化しているのです。

まとめると、第三世代半導体デバイス・モジュールは、現代の技術革新の中でますます重要性が増しています。今後、これらのデバイスはさらなる応用が期待されており、環境への配慮やエネルギー効率の向上に寄与することでしょう。エネルギー社会の変革が進む中で、第3世代半導体の役割はますます大きくなっています。

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・レポートの形態：英文PDF（Eメールによる納品）
・日本語タイトル：第3世代半導体デバイス・モジュールの世界市場2026年～2032年
・英語タイトル：Global Third-Generation Semiconductor Devices & Modules Market 2026-2032

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